세계에서 제일 빠른 `나노트랜지스터’개발
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세계에서 제일 빠른 `나노트랜지스터’개발
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  • 승인 2007.08.23
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  포스텍 정윤하 교수팀 개가…대량생산 큰 장점


 포스텍(포항공대) 연구팀이 세계에서 가장 빠른 나노트랜지스터를 개발했다.
 22일 대학은 전자전기공학과 정윤하(57·포항나노기술집적센터장·사진)교수 연구팀이 기존 실리콘 소자보다 10배 이상 빠른 35나노미터 갈륨비소계 트랜지스터 개발에 성공했다고 밝혔다.
 이번에 개발된 나노트랜지스터는 저항을 줄일 수 있는 지그재그 형태의 게이트 구조를 가져 동작속도를 결정하는  최대발진주파수가 520GHz 이상이나 된다. 이는 갈륨비소를 기반으로 한 트랜지스터 중에서 가장 빠른 속도다.
 현재까지 보고된 게이트 크기는 영국의 글래스고우대가 보유한 50나노급 제작기술이 최소이고, 미국 메사츄세츠공대를 비롯, 대부분 100나노급 소자로 회로를 제작하는 수준이다.
 또한 이 기술은 전류이득 차단주파수와 최대 발진 주파수가 모두 우수해 초고주파 소자와 회로 등 차세대 초고속 반도체 개발에 획기적 역할을 할 것으로 평가받고 있다.
 정 교수는 “이 트랜지스터는 기존에 나온 50나노급 트랜지스터보다 성능이 우수할 뿐 아니라 가격이 기존 제품의 절반 이하로 저렴하고 제조공정이 용이해 대량생산에 유리한 것이 큰 장점이다”고 밝혔다. 
 한편 정 교수팀이 개발한 이 원천기술은 이 분야 세계 최고 권위학술지인 미국전자전기공학회(IEEE) 일렉트론 디바이스 레터 8월호에 게재됐으며 국내외 특허 출원신청이 된 상태다.    /이지혜기자 hokma@ 


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